类别:行业资讯 发布时间:2020-08-07 浏览人次:
近几年来,作为LED行业的细分领域,UV LED行业发展得如火如荼。UV LED(Ultra-Violet Light Emitting
不同于传统LED,UV LED需要专门的电学、光学和热学设计,并需要专门的特殊方案验证。目前行业发展还存在很大的技术瓶颈,产品存在良率不高、可靠性不佳等问题。为了提升UV LED的可靠性,封装企业需要升级使用真空焊接工艺,同时要保证原料的高质量,以及做好二次散热设计。
真空共晶炉:减少空洞率,提升可靠性
按照封装方式与集成度的不同,UV LED分为分立式器件与集成模组。其中,集成模组又分为COB(Chip On Board)和DOB(Device On Board)。COB是将多颗LED芯片直接焊接在一块基板上,而DOB是先将LED芯片封装在器件内,再将多个器件焊接在一块基板上。相较于COB,DOB更利于实现标准化大规模生产。一旦出现制造不良,DOB只损失某个器件。而使用过程中一旦发生光源失效,DOB只需要更换失效的器件。
图为采用垂直结构UV LED芯片的DOB模组
研究表明,DOB的互联层(包括固晶层和锡膏层)的焊接质量对UV LED的出光率、总热阻和可靠性有很大影响。目前固晶层的焊接技术已经比较成熟,但器件与基板间的焊接层,由于工艺问题,不可避免地会产生气泡而形成空洞。
据研究,空洞对热阻的影响关系为:多个随机分布的小的空洞(总百分比V%),对器件总热阻(Rjc)的影响关系为Rjc=0.007V%+1.4987,而多个比较大的空洞对器件总热阻的影响关系为Rjc=1.427e0.015V%
空洞率越小,散热越好,空洞率越大,则散热越差。空洞率大,散热能力差,导致UV LED产品良率低,可靠性不佳,也减少UV
真空共晶炉炉工艺大幅提升UVLED可靠性" TITLE="真空共晶炉炉工艺大幅提升UVLED可靠性" class="aligncenter">
针对以上问题,UV LED行业的一些头部企业已改用真空焊接工艺,大幅降低了UV LED芯片焊接的空洞率,有效提升了可靠性。据了解,北京中科同志科技已研发出UV LED专用真空共晶炉,即专门应用于UV LED芯片和模组焊接的真空共晶炉炉,可以无缝替代进口真空共晶炉。使用中科同志科技的UV LED真空共晶炉,UV LED芯片焊接的空洞率可以控制在3%以下。(如下图)
保证原料高质量和二次散热设计的合理性
为了提升可靠性,除了改用真空共晶炉进行封装焊接,降低UV LED的空洞率,还应重点关注以下两点:
1、选择质量高的基板、芯片和锡膏。尤其是在UV
2、保证UV
a. 以
b. 实验样品完成后,以靠近UV
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